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以下原始占语形式取自杜冠明 (Thurgood 1999)：
下表中原始占语的前音节辅音取自杜冠明 (Thurgood 1999:68)。总共有13或14个前音前辅音，差别在于 ɲ 是否列入计算。 非前音节辅音包含 *ʔ、*ɓ、*ɗ、*ŋ、*y、*w。送气音也可于原始占语重建。
以下是原始占语重建的辅音群 (Thurgood 1999:93)：*pl-、*bl-、*kl-、*gl-、*pr、*tr-、*kr、*br-、*dr。
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吃瓜电影最新爆料常见问题汇总
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地壳的温度随着其不断加深而逐渐升高，从200°C（392°F）到400°C（752°F）不等。
一般说来大陆地壳的组成成分是火成岩和安山岩。以下的成分表和接下来的结论大部分基于Rudnick and Gao（2003）的汇总。大陆地壳比由玄武岩构成的海洋地壳拥有更多的不相容成分，而海洋地壳又比它下面的地幔更富有不相容成分。尽管大陆地壳的硅酸盐含量仅仅占地球总含量的0.6%，但它却含有全球20%至70%的不相容成分。
所有的其他成分除了水在地壳中只有很少的含量，它们的总量少于地壳总质量的1%。上地壳的平均密度介于2.69 g/cm3至2.74 g/cm3，下地壳的平均密度介于3.0 g/cm3至3.25 g/cm3。
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欧姆接触是半导体设备上具有线性并且对称的电流-电压特性曲线（I-V curve）的区域。如果电流-电压特性曲线不是线性的，这种接触便叫做肖特基接触。典型的欧姆接触是溅镀或者蒸镀的金属片，这些金属片通过光刻制程布局。低电阻，稳定接触的欧姆接触是影响集成电路性能和稳定性的关键因素。它们的制备和描绘是电路制造的主要工作。
任何两种相接触的固体的费米能级（Fermi level，或者严格意义上，化学势）必须相等。 费米能级和真空能级的差值称作功函数。接触金属和半导体具有不同的功函数，分别记为和。当两种材料相接触时，电子将会从低功函（高Fermi level）一边流向另一边直到费米能级相平衡。从而，低功函（高Fermi level）的材料将带有少量正电荷而高功函（低Fermi level）材料则会变得具有少量负电荷。最终得到的静电势称为内建场记为。这种接触电势将会在任何两种固体间出现并且是诸如二极管整流现象和热电效应等的潜在原因。内建场是导致半导体连接处能带弯曲的原因。明显的能带弯曲在金属中不会出现因为他们很短的屏蔽长度意味着任何电场只在接触面间无限小距离内存在。
在经典物理图像中，为了克服势垒，半导体载流子必须获得足够的能量才能从费米能级跳到弯曲的导带顶。穿越势垒所需的能量是内建势及费米能级与导带间偏移的总和。同样对于n型半导体，当中是半导体的电子亲合能（electron affinity），定义为真空能级和导带（CB）能级的差。对于p型半导体，其中是禁带宽度，e是基本电荷。当穿越势垒的激发是热力学的，这一过程称为热发射。真实的接触中一个同等重要的过程既即为量子力学隧穿。WKB近似描述了最简单的包括势垒穿透几率与势垒高度和厚度的乘积指数相关的隧穿图像。对于电接触的情形，耗尽区宽度决定了厚度，其和内建场穿透入半导体内部长度同量级。耗尽层宽度可以通过解泊松方程以及考虑半导体内存在的掺杂来计算:
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