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* 曾祖鄂善。胞兄一等襄勤伯鄂尔泰，其子襄勤伯鄂容安（妻富察氏，镶白旗满洲、江南布政使博尔多之女，曾是雍正旧邸之人。同族有孝哲毅皇后祖母富察氏，即赛尚阿之妻。），鄂实（副都统，殉难于大小和卓之战，授骑都尉又一云骑尉世职；原配妻佟佳氏，镶黄旗满洲、理藩院尚书温僖公补熙之女，曾祖一等公佟国纲；继妻高佳氏，镶黄旗满洲文定公高斌之女），勤肃公鄂弼（妻瓜尔佳，其父镶黄旗满洲、兵部尚书哈达哈，祖父三等信勇公傅尔丹），鄂宁（云贵总督，妻乌雅氏，正黄旗满洲、礼部尚书海望之女），鄂忻，鄂谟。
* 祖父鄂昌，雍正甲辰科举人，甘肃巡抚，被劾夺官。
* 父鄂硕（字实峰）。胞姊西林觉罗氏，嫁觉罗奇纳（先祖索长阿，(追)兴祖直皇帝福满第三子）。
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2015年七月，IBM公司宣布通过SiGe工艺制成了7 nanometer级晶体管，有望使晶体管的产量上升三倍。
SiGe材料可让异质接面双极性电晶体整合进CMOS逻辑积体电路，达成混合讯号电路的功能。异质接面双极性电晶体比起同质接面双极性电极体，拥有高顺向增益、低逆向增益、低电流和较好的高频特性等优点。但在异质面技术中，与仅使用硅的技术相比，SiGe这种化合物半导体更容易进行能带调节。
绝缘体上矽锗（Silicon-germanium-on-insulator，缩写为SGOI）是一项类似绝缘体上矽（Silicon-on-insulator，缩写为SOI）的技术，现今被运用在电脑的晶片。SGOI技术可以增加原子间的距离，加快电流流动的速度，以提高微晶片中电晶体的速度。
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