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2015年七月，IBM公司宣布通过SiGe工艺制成了7 nanometer级晶体管，有望使晶体管的产量上升三倍。

SiGe材料可让异质接面双极性电晶体整合进CMOS逻辑积体电路，达成混合讯号电路的功能。异质接面双极性电晶体比起同质接面双极性电极体，拥有高顺向增益、低逆向增益、低电流和较好的高频特性等优点。但在异质面技术中，与仅使用硅的技术相比，SiGe这种化合物半导体更容易进行能带调节。

绝缘体上矽锗（Silicon-germanium-on-insulator，缩写为SGOI）是一项类似绝缘体上矽（Silicon-on-insulator，缩写为SOI）的技术，现今被运用在电脑的晶片。SGOI技术可以增加原子间的距离，加快电流流动的速度，以提高微晶片中电晶体的速度。

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白石通教（1910年12月1日 - 1945年8月15日），日本陆军军人。

白石通教出生在爱媛县，其父白石通则，长年在陆军服役，阶至陆军中将。白石通则先后在东京陆军地方幼年学校、陆军士官学校预科学习，1932年7月从陆军士官学校本科第44期毕业。同年10月进入步兵第41联队任陆军少尉。1940年3月，从陆军大学校第53期毕业。历任第8师团参谋、第18师团参谋、陆军省军务局军事课课员等职。1945年2月，作为元帅副官随第二总军元帅畑俊六前往广岛赴任。当年8月6日，广岛遭到原子弹袭击，白石幸运地躲过一劫。随后他跟随畑俊六到东京参加元帅会议，于8月14日晚前往拜访其担任近卫师团师团长的内兄森赳。当时，陆军省和近卫师团的一部分青年军官正在密谋发动军事政变阻止日本投降，为此其中的畑中健二等人深夜求见森赳，请求其支持政变。由于森赳坚定地表达了拒绝参加政变的态度，当场被畑中等人杀死。白石本人也随即被政变军人上原重太郎和洼田兼三两人斩杀，终年34岁。。

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1,2-二𫫇英（1,2-Dioxin）是一种杂环有机反芳香性化合物，化学式为C4H4O2。它是1,4-二𫫇英的同分异构体。

由于它类似于过氧化物的性质，1,2-二𫫇英非常不稳定，仍未分离。根据计算，它会快速异构化成2-丁烯二醛。有取代基的衍生物也非常不稳定，例如1,4-二苯基-2,3-苯并二𫫇英。1990年，3,6-二(对甲苯基)-1,2-二𫫇英被误认为是第一个稳定的衍生物，之后表明初始化合物不是1,2-二𫫇英的衍生物，而是一个热力学上更稳定的二酮。

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