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赵湘，字巨源，北宋华州（今陕西渭南市华州区）人。
赵湘中进士甲科，历任彰武、永兴、昭武三军节度推官，升为秘书省著作佐郎、知新繁县。因有政绩，改知商州，转任陇州、兴元府，再升为太常博士。上书《补政忠言》十篇，召判宗正寺，赐白金二百两。上书请以元德李太后祔太宗庙室。被采纳。册封西夏赵德明，假尚书礼部员外郎，为官告副使。擢升为殿中侍御史，权判三司勾院，上书请封禅。真宗命他管勾南宫北宅事。东封泰山，为东京留守推官，礼成，升任侍御史。纠察刑狱，改尚书刑部员外郎兼侍御史知杂事。真宗祀汾阴，为考制度副使，兼判宗正寺。历任三司户部、度支副使。祀太清宫，管勾留司三司事。为盐铁副使，再升为工部郎中、直昭文馆，出知河南府，改任河中府，为京西转运使。又改任凤翔府、延州，升任太常少卿、知襄州。又知应天府，进右谏议大夫，知河南府，为集贤院学士，因病知虢州，去世。
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矽锗（Silicon-germanium，缩写为SiGe），是一种合金，依矽和锗的莫耳比可以表示成SixGe1-x。常被用作积体电路（IC）中的半导体材料，可做成异质结双极性晶体管或CMOS电晶体中的应变诱发层（strain-inducing layer）。IBM公司于1989年在工业生产中引入了硅锗合金相关技术，这一新技术使混合讯号积体电路和类比积体电路的设计与生产多了一项选择。
使用传统的矽半导体器件制造技术，即可在晶圆上形成SiGe。在CMOS制程方面，SiGe制程的成本和矽制程相当，但在异质接面技术方面，SiGe制程的成本比砷化镓制程还要低。近来，使用有机金属气相磊晶 （MOVPE）沉积高纯度的含Ge薄膜、SiGe和应变矽时，会使用只有少量危害的液体来当做替代物，像有机锗化合物前体（如：异丁基锗烷、三氯锗烷、二甲氨基三氯锗烷）。
拥有SiGe制作服务的共有以下几家公司：国际商务机器（IBM）、意法半导体（STMicroelectronics）、台湾积体电路制造股份有限公司（TSMC）、飞思卡尔（Freescale，原本的摩托罗拉半导体部门）、索尼（Sony）、Atmel、Chartered Semiconductor Manufacturing、Micrel、英飞凌（Infineon）、德州仪器（TI）、IHP、Jazz Semiconductor，原本的胜讯（Conexant）。超微半导体（AMD）有意加入IBM的SiGe应变矽技术开发计划，让技术迈入65nm级规模。
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德苏友好合作和边界划定条约是《苏德互不侵犯条约》的第二项补充协议，是纳粹德国和苏联在1939年联合入侵波兰后于9月28日修订的秘密条款，在苏联领导人斯大林在场下，由德国外长里宾特洛甫和苏联外交部长莫洛托夫签署。该协定替代了此前的条约，且只有一小部分得以公开。1940年1月10日苏德战争爆发前几个月，弗雷德里希·沃尔纳·冯·舒伦堡和莫洛托夫又签署了第三个秘密协定，在此协定中德国放弃了对部分立陶宛的领土要求。
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