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* 制作担当：前田宗男（少年クラブ连载）
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在金属中由于有大量电子移动抵消外加电场，外加的电场能使金属表层的电荷分布发生改变。然而，在半导体中，正负电荷的密度较低，无法完全抵消外加电场，所以外加电场会在半导体材料表面附近改变材料的导电性，这被称为“场效应”。场效应应用于肖特基二极管，场效应晶体管（主要指的是MOSFET，JFET和MESFET）。
在外加电场的作用下，接近半导体表面一定深度下的电子能级发生改变，这导致了材料表面的导电性发生改变，也使得材料表面区域的电子能占有的能级发生变化。这种效应具有代表性的表征方式是“能带弯曲图”。能带弯曲图表征了材料表面的能带边界Ef, Ec, Ev与进入材料深度x之间的关系。
如右图所示一个典型的能带弯曲图。为了简化，能带中的能量单位是eV，电压的单位是V，避免了引入参数q作为单位电荷。右图中显示的是一个双层结构，左边是绝缘体层，右边是半导体层。一个使用类似结构的例子是MOS电容，一个双端的结构，一边是金属栅极端，一边是半导体材料（比如硅）端，中间夹着一层绝缘层（比如氧化硅）。右图中，左边的子图显示出了导带的最低能级（Conduction Edge）和价带的最高能级（Valence Edge）。这些能带在外加电压V的作用下发生弯曲。依照习惯，图中显示的是电子的拥有能量，所以一个正电压作用于半导体材料会使材料表面的能带向下弯曲。虚线表示的是能级占有情况费米能级Ef：低于Ef倾向于被电子占领，导带在外加电压作用下向下弯曲更加接近Ef，表明在接近绝缘层的地方导带中存在更多的电子。
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艾云·沙兰当拿·尔辛奴（Iván Zarandona Esono，8月30日），生于西班牙华亚度列，赤道畿内亚足球运动员，司职防守中场，前赤道畿内亚国家队成员，于2015年1月效力标准流浪时入选赤道畿内亚大军名单出战非洲国家杯，在6场赛事中全都以正选身份为球队上阵带领国家队缔造历史闯入四强，更入选网站WhoScored的非洲国家杯分组赛最佳11人成为非洲国家杯唯一一位港超联球员，现时效力西班牙足球乙二级联赛球队Atlético Astorga CF。
艾云生于西班牙城市华亚度列，自幼追随兄长Benjamín Zarandona的步伐加入家乡球会青年军，纵未如兄长驰骋西甲，职业生涯大多时间于西班牙次级联赛踢球，曾在西班牙国王杯与皇家马德里交手，于2014年远道来港加盟愉园，却因球队卷入假波丑闻无缘出赛，只操练两个月才转投标准流浪见曙光，更在香港重遇旧队友巴伦古素及一班西班牙外援互相照应，并与女朋友同居东涌，直到2015年7月转投布尔戈斯。
艾云小时候曾入选西班牙U18青年军，直至22岁获赤道畿内亚国家队征召，于2015年1月的非洲国家杯获得主办国赤道畿内亚教练垂青召其入选大军名单中，艾云亦是赤道畿内亚本届赛事阵中年纪最大的球员及本届非洲国家杯唯一一位港超联球员，在揭幕战荒对刚果一战正选上阵并踢足全场，可惜球队未能取得胜利被刚果逼和1–1，并一直在球队中担任正选，成功在分组赛中以不败姿态突围而出，更入选网站WhoScored的非洲国家杯分组赛最佳11人，再在八强中击败突尼西亚国家队加时踢足120分钟，带领国家队缔造历史闯入四强，无奈于四强负于强敌加纳脚下，然后在季军战以互射十二码败于刚果手上，只能在本届赛事为列殿军，而艾云于本届非洲国家杯的所有6场赛事中全都以正选身份为球队上阵，亦吸引到来自欧洲各国的球探注意，早在分组赛期间已有西乙球会透过经理人向艾云提出斟介，但碍于与标准流浪尚有合约在身，再加上转会窗期限快要来临所以加盟一事只好告吹。
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