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控制理论中的分离原理（separation principle），之前曾称为估测及控制分离原理（principle of separation of estimation and control）是指若一些假设条件成立的前提下，一随机系统的最佳回授控制器设计，可以先设计最佳的状态观测器，观测系统状态，再将状态反馈到决定性的最佳控制器中，即可求解。因此问题可以分离为二个部份，有助于控制器的设计。

已证明若已针对一线性时不变系统设计了BIBO稳定的状态观测器，以及稳定的状态反馈，将此状态估测器及控制器合并之后的系统也是稳定的。这就是此原理的例子之一。不过针对非线性系统，此原理不一定会成立。另外一个例子是将LQG控制的求解分解为卡尔曼滤波以及最佳的LQR控制器。若是量子系统的控制，也可以应用分离原理。

因为这是三角矩阵，其特征值即为A − BK的特征值以及 A − LC的特征值。因此估测器及回授的稳定性彼此线性无关。

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在硅熔化前，可以向坩埚中添加硼、磷等材料，这样，拉制出的硅棒就具有与纯硅不同的电学性质。上述添加的材料被称为“杂质”，对应工艺过程被称为“掺杂”，得到的材料被称为“杂质半导体”。如果半导体材料不是硅，而是其他化合物（如砷化镓），同样可以使用直拉法来制备单晶材料。

通过上述直拉工艺制备的单晶硅是制造大积体电路的基础材料，被用于计算机、电视机、移动电话和其他各种电子设备中。

使用直拉法工艺制备单晶硅时，常用石英（主要成分为二氧化硅）坩埚作为器皿。这样做的一个不可避免的结果，就是器皿本身因为高温加热，将发生热分解，导致熔融状态硅中混入氧，其浓度的典型数量级为1018cm-3。氧杂质将带来一些好处。严格的退火工艺可以使氧沉淀下来。这些氧可以俘获半导体材料中不必要的过渡金属。除此之外，氧杂质还能够改善硅晶圆的机械强度，因为它能够固定制备流程中被引入的位错。1990年代，高浓度氧被发现能够在硅材料粒子探测器（例如欧洲核子研究组织中的大型强子对撞机项目）中用于辐射加固。因此，用这样的硅制成的辐射探测器，是将来进行高能粒子实验的理想设备。在后期的退火过程中，硅中的氧杂质也能俘获其他不必要的杂质。

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张承业唐代末年与五代之间同州（今陕西省大荔县，蒲城县东南）人。字继元，原姓康。唐僖宗时是朝廷宦官，在昭宗时被派遣到渭北，任河东监军，执法严明，得晋王李克用器重。唐亡后任职于晋。李克用病故后，张承业受启命，辅助幼主李存勗，李存勗将他当做兄长对待。晋与梁战斗十余年，后勤军政均交任张承业。其仕途以忠心、正直著称。

张承业原姓康，自幼净身入宫，被内常侍张泰收为养子，因此改姓为张。光启年间主持郃阳军事，获赐紫衣，后升任内供奉。

干宁二年（895年），张承业因多次出使渭北，受晋王李克用喜爱，而后被任命为监军，随河东军征讨邠宁节度使王行瑜。他在战争结束后，被改任为酒坊使。

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