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《雅雨山人出塞图》是一幅清代人物画,由张珩、高凤翰、叶芳林合绘于清乾隆五年（1740年）。现藏于北京故宫博物院。
《出塞图》是一幅志士含冤、英才落寞的行旅图，描绘乾隆初年，两淮盐运使卢见曾（1690年—1768年，号雅雨山人）因上任期间清理盐政积弊而遭构陷，于乾隆二年（1737）被羁于扬州董相祠，乾隆五年（1740）五月被远戍塞外军台的场景。画中卢见曾面容坚毅，与夏襄宸、汪履之（扬州董相祠的一名道士）二人，骑马走向大漠。
画心纵159.6厘米，横83.8厘米。绫圈纵207.1厘米，横104.5厘米。
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直拉法最重要的应用是晶锭、晶棒、单晶硅的生长。其他的半导体，例如砷化镓，也可以利用直拉法进行生长，也有一些其他方法（如布里奇曼-史托巴格法）可以获得更低的晶体缺陷密度。
高纯度的半导体级多晶硅在一个坩埚（通常是由石英制成）中被加热至熔融状态。诸如硼原子和磷原子的杂质原子可以精确定量地被掺入熔融的硅中，这样就可以使硅变为P型或N型硅。这个掺杂过程将改变硅的电学性质。将晶种（或称“籽晶”）置于一根精确定向的棒的末端，并使末端浸入熔融状态的硅。然后，将棒缓慢地向上提拉，同时进行旋转。如果对棒的温度梯度、提拉速率、旋转速率进行精确控制，那么就可以在棒的末端得到一根较大的、圆柱体状的单晶晶锭。通过研究晶体生长中温度、速度的影响，可以尽量避免不必要的结果。上述过程通常在惰性气体（例如氩）氛围中进行，并采用坩埚这种由较稳定的化学材料制成的反应室。
为了提高半导体工业的生产效率，常常按一定标准规格来生产晶圆。早期的晶棒较小，直径通常只有几英寸。随着技术的进步，高端的制造一起开始使用200毫米甚至300毫米直径的晶圆。要准确地制造这样尺寸的晶圆，必须严格控制工作温度、旋转速度以及晶种棒的提拉速度。用于切割成晶圆的晶锭长达2米，重达几百千克。更大的晶圆可以进一步提升制造效率，这是因为利用单个晶圆能够制造出更多的芯片。这也是人们不断尝试增大硅晶圆尺寸的原因。现在，半导体工业界正在挑战450毫米级别的晶圆，计划在2012年投产。硅晶圆的典型厚度在0.2至0.75毫米之间，通过抛光技术可以使表面更加平滑，这样更适合制造积体电路。此外，通过刻出特定的纹路，晶圆还可以用来制造太阳能电池。
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据《元和姓纂》和《通志·氏族略》记载，鲍姓源出于姒姓。春秋时，夏禹的后人杞国公子敬叔食邑于齐国鲍邑（今山东济南市历城区），其后以鲍为氏。世代为齐国上卿，战国初期被田氏攻灭，子孙出逃别国。
《姓苑》记载：“系出姒姓。夏禹后。春秋时杞公子有仕齐者，食采于鲍，因以命氏”。
另有北魏时鲜卑姓俟力伐氏改为汉姓「鲍」氏。
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