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方尔谦，字地山，号无隅，别号大方，江苏江都人，收藏家、古钱币学家。与其弟方泽山并称为“二方”。
他16岁时曾被选拨贡生，但无意仕途，1889年外出远游并设馆授徒。其后，曾任京师大学堂教授。戊戌变法后，经常发表文章谴责袁世凯。袁世凯为笼络他，便聘请他为家庭教师，教授其子。期间，他与袁世凯次子袁克文关系密切，袁克文则受他影响反对袁世凯称帝。因激怒袁世凯，方尔谦与袁克文后来一同逃往天津。他们二人同时还是儿女亲家，方尔谦曾将其女儿方庆根许配给袁克文之子袁家嘏。1936年，方尔谦在天津逝世。
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超导二硼化镁导线可以通过粉末管中烧结法（powder-in-tube，PIT）生产。 这种方法又可分为两种工艺：原位和非原位。 在原位法中，先用传统的拉丝法产生硼镁合金的细丝，然后将合金丝加热到反应温度生成MgB2。非原位法中，烧结管内填充的是MgB2粉末（通常用银或316不锈钢来增加二硼化镁的延展性），拉丝后在800至1000 ℃下烧结。不管是用哪种方法，烧结后经过950 ℃的热处理，可进一步改善二硼化镁导线的超导性能。
2003年，意大利EDISON SpA公司开发了制备二硼化镁的一种新技术，被称为Mg-RLI。 该技术使用预制的硼-镁块在不锈钢容器中高温反应，不需要保护气氛，反应压力不超过3到4个大气压。该方法既可以制造高密度（超过MgB2理论密度90%）的二硼化镁粉状材料，也可以制造二硼化镁中空纤维。这种方法和制造粉状钇钡铜氧超导体的加工法类似。EDISON SpA已经为此申请多项专利。
混合物理化学气相沉积（HPCVD）被证明是沉积二硼化镁薄膜的有效技术。 通过其它技术沉积的MgB2薄膜的表面通常不光滑，并且不符合其化学式的化学计量比（即硼镁比例偏离2：1）。相比之下，HPCVD技术可以生长出高质量并具有光滑表面的纯MgB2薄膜。而这样的薄膜是制造可重现性约瑟夫森结超导电路的基本元素。
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大正十二年（1923年）4月12日日本皇太子裕仁（昭和天皇）与随从自日本横须贺出发到台湾巡视，而为了纪念此一事件，台中市遂兴建了「行启纪念馆」林。「行启纪念馆」落成后，为加以庆祝并彰显台中市各项产业与建设的发展成果，台中市役所遂举办了「中部台湾共进会」林。
此活动的主办单位是台中市役所成立的「中部台湾共进会」，底下分成庶务部与出品部两大部门林。而在庶务部之下，设有庶务系、设备系、警备系和会计系；在出品部之下，设有产业系、教育系、卫生系、土木系、蕃族系林。
此外在台中市官民又成立了「共进会协赞会」来协助主办单位，下面分成庶务系、会计系、设备系、卖店系、劝诱系、接待系和余兴系等七系林。
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